haloimplant作用

,一般而言，在初始製造階段，半導體層102以連續的半導體材料提供，隨後可分割成多個半導體區或作用...(haloimplantation)。在此策略中，N通道電晶體與P型通道電晶體各需要兩 ...,，其中一種選擇就是利用高介電係數閘極氧化層結構來提昇元件性能的目的...TheImpactofInterfacialLayerandtheHaloImplantontheReliabilityofHighK ...,halo结构就是在MOS沟道中靠近源漏S/DPNjunction的地方做两个与沟道同型的重掺杂，可以有效阻止...

參考資訊如下
CN102511076A - 最佳化的环状或袋状冷植入

TWI489561B

一般而言，在初始製造階段，半導體層102以連續的半導體材料提供，隨後可分割成多個半導體區或作用 ... (halo implantation)。在此策略中，N通道電晶體與P型通道電晶體各需要兩 ...

不同界面層與環狀植入對高介電氧化層CMOS元件可靠性影響之 ...

，其中一種選擇就是利用高介電係數閘極氧化層結構來提昇元件性能的目的 ... The Impact of Interfacial Layer and the Halo Implant on the Reliability of High K ...

关于不同工艺节点mos VTH的短沟道和反短沟道效应解释

halo结构就是在MOS沟道中靠近源漏S/D PN junction的地方做两个与沟道同型的重掺杂，可以有效阻止耗尽层向沟道中扩散，从而阻断punch through 的发生。 接下来我们分析 ...

應用於超低功率互補式傾斜閘極穿隧場效電晶體之設計

halo) Implant 來阻斷表面下貫穿(Substrate Punch-through)，因此Vth,lin 通常 ... 目的，利用施打不同類型的pocket 調變穿. 隧接面達成非對稱性結構且能夠提升驅動電流 ...

熱載子效應在0.1μm短通道CMOSFETs所造成特性退化之研究

本論文研製之本論文係針對使用0.1μm製程的環型佈植(Halo; Pocket Implant)CMOSFETs之熱載子效應以及可靠度分析的研究。當通道長度縮小時跨在元件上電場相對會變大， ...

超深亚微米非对称Halo LDD 低功耗

2003年5月5日 — Halo 结构的倾斜注入(tilted implantation)用两种. 不同类型的离子来实现 ... 由于Halo 区作用之一是可以抑制源漏耗尽区. 的扩展并防止其穿通,因此它的 ...

電子工程學系 電子研究所碩士班 碩士論文

由 張博翔 著作 · 2010 — Other devices with double implanted LDD (DI-LDD) [18] structures, which are also called “halo implant” structures [10]. Such structures are added with an.